真空快速退火炉AS-One

AS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。

可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。

**温度1500 ℃，*快升温速率200℃/Second。

全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。

应用：

•RTA（快速热退火）

•RTO（快速热氧化）

•欧姆接触退火

•植入退火

•石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD

•硒化，硫化

•结晶和致密化

产品特点：

1、红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；

2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到*初的热处理效果；

3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；

冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；

4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；

5、快速数字PID控温；

6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；

7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；

8、*多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；

9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；

10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；

11、可选配分子泵，用于高真空测试；

产品标准配置及规格参数：

1、样品**尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；

2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选）

AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）

3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ；

AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；

4、温度控制：快速数字PID控制；

5、热电偶：2个K型热电偶；

6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；

7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；

8、工艺气体气路配质量流量计；

9、配置真空泵及真空规；