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真空快速退火炉AS-One
AS-One是一种通用的RTP系统,可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。
可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。
**温度1500 ℃,*快升温速率200℃/Second。
全程PC软件控制升温程序,保证温度不过冲,控温精度准确。
应用:
•RTA(快速热退火)
•RTO(快速热氧化)
•欧姆接触退火
•植入退火
•石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD
•硒化,硫化
•结晶和致密化
产品特点:
1、红外卤素灯管加热,冷却采用风冷(低噪音水平,无需压缩空气);
2、加热由功率控制而非电压控制,避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题,保证了良好的重现性及均温性,即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到*初的热处理效果;
3、石英腔体,腔体冷却采用水冷,冷壁设计,双层不锈钢;
冷壁水冷技术优点在于:1、无记忆,2、工艺重复性高,3、冷却速度快;
4、反应腔室的设计,气体的进入口设计在wafer的表面,避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性;
5、快速数字PID控温;
6、热电偶配合高温计控温,测试样品的温度,控温精准;
7、大气和真空工艺均适合,净化气体配针阀;
8、*多5路工艺气体,配数字质量流量控制器;
9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度;
10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计,用于小样品测试;
11、可选配分子泵,用于高真空测试;
产品标准配置及规格参数:
1、样品**尺寸:AS-One100:4-inch;AS-One150 :6-inch;
2、温度范围:AS-One100室温~1250 ℃;(室温~1500 ℃可选)
AS-One150室温~1200 ℃;(室温~1300 ℃可选)
3、升温速率:AS-One100 :0.1 ℃~250 ℃/s ;
AS-One150 :0.1 ℃~200 ℃/s ;
4、温度控制:快速数字PID控制;
5、热电偶:2个K型热电偶;
6、低温高温计温度范围:150℃~1100 ℃;
7、高温高温计温度范围:400℃~1500 ℃;
8、工艺气体气路配质量流量计;
9、配置真空泵及真空规;